Disclosed is an array type semiconductor laser device including a plurality
of semiconductor laser chips each of which has an active layer for forming
a light emitting point, wherein the semiconductor laser chips are arrayed
on the same substrate in such a manner as to be spaced from each other at
intervals. In this laser device, an array configuration of the
semiconductor laser chips is specified such that a gap between arbitrary
adjacent two laser chips located inwardly from both outermost laser chips
positioned at both the edges of the semiconductor laser device is wider
than a gap between each of said outermost laser chips and an LD chip
adjacent thereto. This laser device is advantageous in reducing the effect
of thermal interference mutually exerted on the laser chips, thereby
ensuring a thermal uniformity over the entire laser chips.
Révélé est un type de rangée dispositif de laser de semi-conducteur comprenant une pluralité de morceaux de laser de semi-conducteur dont chacun a une couche active pour former une lumière émettant le point, où les morceaux de laser de semi-conducteur sont rangés sur le même substrat dans le tel une façon quant à soit éloignée de l'un l'autre à des intervalles. Dans ce dispositif de laser, une configuration de rangée des morceaux de laser de semi-conducteur est indiquée tels qu'un espace entre les deux morceaux adjacents arbitraires de laser situés vers l'intérieur des deux morceaux extérieurs de laser placés aux bords du dispositif de laser de semi-conducteur est plus large qu'un espace entre chacun de lesdits morceaux extérieurs de laser et un morceau de LD adjacent là-dessus. Ce dispositif de laser est avantageux en réduisant l'effet de l'interférence thermique mutuellement exercé sur les morceaux de laser, assurant de ce fait une uniformité thermique au-dessus des morceaux entiers de laser.
