Semiconductor devices are provided which can be configured as optically
activated memories or single photon detectors. The devices comprise an
active layer with a plurality of quantum dots and an active layer. The
devices are configured so that charge stored in the quantum dots affects
the transport and/or optical characteristics etc of the active layer.
Hence, measuring such a characteristic of the active layer allows
variations in the carrier occupancy of the quantum dots to be determined
Прибора на полупроводниках обеспечены можно установить как оптически активированные памяти или одиночные детекторы фотона. Приспособления состоят из активно слоя с множественностью многоточий суммы и активно слоя. Приспособления установлены так, что обязанность, котор хранят в многоточиях суммы повлияет на переход and/or оптически характеристики etc активно слоя. Следовательно, измерять такую характеристику активно слоя позволяет изменения в пребывании несущей многоточий суммы быть обусловленным
