An insulating film 103 for making an under insulating layer 104 is formed
on a quartz or semiconductor substrate 100. Recesses 105a to 105d
corresponding to recesses 101a to 101d of the substrate 100 are formed on
the surface of the insulating film 103. The surface of this insulating
film 103 is flattened to form the under insulating layer 104. By this
flattening process, the distance L1, L2, . . . , Ln between the recesses
106a, 106b, 106d of the under insulating layer 104 is made 0.3 .mu.m or
more, and the depth of the respective recesses is made 10 nm or less. The
root-mean-square surface roughness of the surface of the under insulating
film 104 is made 0.3 nm or less. By this, in the recesses 106a, 106b,
106d, it can be avoided to block crystal growth of the semiconductor thin
film, and crystal grain boundaries can be substantially disappeared.
Ein isolierender Film 103 für das Bilden einer Unterisolierschicht 104 wird auf einem Quarz- oder Halbleitersubstrat 100 gebildet. Aussparungen 105a zu 105d, das Aussparungen 101a 101d des Substrates 100 entspricht, werden auf der Oberfläche des isolierenden Filmes 103 gebildet. Die Oberfläche dieses isolierenden Filmes 103 wird flachgedrückt, um die Unterisolierschicht 104 zu bilden. Durch diesen flachdrückenden Prozeß der Abstand L1, L2. . . , wird Ln zwischen den Aussparungen 106a, 106b, 106d der Unterisolierschicht 104 0.3 mu.m oder mehr gebildet, und die Tiefe der jeweiligen Aussparungen wird 10 nm oder weniger gebildet. Die Wurzel-bedeuten-Quadrat Oberfläche Rauheit der Oberfläche des isolierenden Unterfilmes 104 wird 0.3 nm oder weniger gebildet. Durch dieses in den Aussparungen 106a, 106b, 106d, kann sie vermieden werden, um Kristallwachstum des Dünnfilms des Halbleiters zu blockieren, und Kristallkristallgrenzen können im wesentlichen verschwunden werden.