A blue-violet-near-ultraviolet pin-photodiode with small dark current, high
reliability and long lifetime. The pin-photodiode has a metallic
n-electrode, a n-ZnSe single crystal substrate, an optionally added n-ZnSe
buffer layer, an n-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y layer, an
i-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y layer, a p-Zn.sub.1-x Mg.sub.x
S.sub.y Se.sub.1-y layer, a p-(ZnTe/ZnSe).sup.m SLE, a p-ZnTe contact
layer, an optionally provided antireflection film and a metallic
p-electrode.
A blue-violet-near-ultraviolet avalanche photodiode with small dark
current, high reliability and long lifetime. The avalanche photodiode has
a metallic n-electrode, a n-ZnSe single crystal substrate, an optionally
added n-ZnSe buffer layer, an n-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y
layer, an i-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y layer, a p-Zn.sub.1-x
Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y layer, a p-(ZnTe/ZnSe).sup.m SLE, a p-ZnTe
contact layer, an optionally provided antireflection film and a metallic
p-electrode. Upper sides of the layered structure are etched into a
mesa-shape and coated with insulating films.
Um pino-fotodiodo azul-violeta-próximo-ultravioleta com corrente escura pequena, confiabilidade elevada e vida longa. O pino-fotodiodo tem um n-elétrodo metálico, uma carcaça do único cristal do n-ZnSe, uma camada opcionalmente adicionada do amortecedor do n-ZnSe, uma camada de n-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y, uma camada de i-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y, uma camada de p-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y, um p-(ZnTe/ZnSe).sup.m SLE, uma camada do contato do p-ZnTe, uma película opcionalmente fornecida do antireflection e um p-elétrodo metálico. Um fotodiodo azul-violeta-próximo-ultravioleta do avalanche com corrente escura pequena, confiabilidade elevada e vida longa. O fotodiodo do avalanche tem um n-elétrodo metálico, uma carcaça do único cristal do n-ZnSe, uma camada opcionalmente adicionada do amortecedor do n-ZnSe, uma camada de n-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y, uma camada de i-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y, uma camada de p-Zn.sub.1-x Mg.sub.x S.sub.y Se.sub.1-y, um p-(ZnTe/ZnSe).sup.m SLE, uma camada do contato do p-ZnTe, uma película opcionalmente fornecida do antireflection e um p-elétrodo metálico. Os lados superiores da estrutura mergulhada são gravados em uma mesa-forma e revestidos com as películas isolando.
