The present invention relates to a non-brittle silicide target for forming
a gate oxide film made of MSi.sub.0.8-1.2 (M: Zr, Hf), and provides a
non-brittle silicide target suitable for forming a ZrO.sub.2.SiO.sub.2
film or HfO.sub.2.SiO.sub.2 film that can be used as a high dielectric
gate insulating film having properties to substitute an SiO.sub.2 film.
A invenção atual relaciona-se a um alvo non-frágil do silicide para dar forma a uma película do óxido da porta feita de MSi.sub.0.8-1.2 (M: O zr, Hf), e fornece um alvo non-frágil do silicide apropriado dando forma a uma película ZrO.sub.2.SiO.sub.2 ou à película HfO.sub.2.SiO.sub.2 que possam ser usadas como uma película isolando da porta dieléctrica elevada que tem propriedades substituir uma película SiO.sub.2.
