The copper interconnect formed by the use of a damascene technique is
improved in dielectric breakdown strength (reliability). During post-CMP
cleaning, alkali cleaning, a deoxidizing process due to hydrogen annealing
or the like, and acid cleaning are carried out in this order. After the
post-CMP cleaning and before forming an insulation film for a cap film,
hydrogen plasma and ammonia plasma processes are carried out on the
semiconductor substrate. In this way, a copper-based buried interconnect
is formed in an interlayer insulation film structured of an insulation
material having a low dielectric constant.
L'interconnessione di rame costituita dall'uso di una tecnica damascene è migliorata nella resistenza di ripartizione dielettrica (affidabilità). Durante pulizia di post-CMP, pulizia dell'alcali, un trattato di deossidazione dovuto ricottura all'idrogeno e simili e la pulizia acida sono effettuati in questo ordine. Dopo la pulizia di post-CMP e prima di formare una pellicola dell'isolamento per una pellicola della protezione, i processi del plasma dell'idrogeno e del plasma dell'ammoniaca sono effettuati sul substrato a semiconduttore. In questo modo, un'interconnessione sepolta rame-basata è formata in una pellicola dell'isolamento dello strato intermedio strutturata di un materiale dell'isolamento che ha un costante dielettrico basso.
