The present invention is aimed at decreasing the current required for
writing in a magnetic random access memory (MRAM), and power consumption
thereof. In a magnetic random access memory of the present invention,
information is written in memory elements arranged in a same row or column
by performing once each of the first information writing step of applying
a first magnetic field to put memory elements in the high-resistance
state, and the second information writing step of applying a second
magnetic field to the memory elements in which the first information has
not been written to write information in all memory elements in the same
row under recording of information. Alternatively, a magnetic random
access memory includes a plurality of first wirings for applying a
magnetic field in the direction of the easy magnetization axis of a
magnetic layer, and a plurality of second wirings for applying a magnetic
field in a direction inclined from the direction of the easy magnetization
axis of the magnetic layer, wherein a current is passed through one of the
second wirings to apply a magnetic field to all memory elements arranged
in a same row or column of the rows or columns of a plurality of the
memory cells arranged in parallel to the second wirings, and currents are
passed through the plurality of first wirings in directions according to
the information to be recorded in the respective memory elements
synchronously with the current pulse passed through the second wiring to
apply a magnetic field to each of the magnetoresistive elements, thereby
recording information on the plurality of memory elements arranged in the
same row or column.
La presente invenzione è puntata su che fa diminuire la corrente richiesta per la scrittura in una memoria di accesso casuale magnetica (MRAM) e l'assorbimento di corrente di energia di ciò. In una memoria di accesso casuale magnetica di presente invenzione, le informazioni sono redatte agli elementi di memoria organizzati in una stessa fila o colonna effettuando una volta che ciascuno del primo punto di scrittura delle informazioni di applicazione del primo campo magnetico per mettere gli elementi di memoria nel high-resistance dichiara ed al secondo punto di scrittura delle informazioni di applicazione del secondo campo magnetico agli elementi di memoria in cui le prime informazioni non sono state redatte per redigere le informazioni in tutti gli elementi di memoria nella stessa fila sotto la registrazione delle informazioni. Alternativamente, una memoria di accesso casuale magnetica include una pluralità di primi collegamenti per l'applicazione del campo magnetico nel senso dell'asse facile di magnetizzazione di uno strato magnetico e una pluralità di secondi collegamenti per l'applicazione del campo magnetico in un senso propenso dal senso dell'asse facile di magnetizzazione dello strato magnetico, in cui una corrente è passata con uno dei secondi collegamenti per applicare un campo magnetico a tutti gli elementi di memoria organizzati in una stessa fila o colonna delle file o alle colonne di una pluralità delle cellule di memoria organizzate parallelamente ai secondi collegamenti e le correnti sono passate con la pluralità di primi collegamenti nei sensi secondo le informazioni da registrare negli elementi rispettivi di memoria con l'impulso corrente hanno attraversato contemporaneamente i secondi collegamenti per applicare un campo magnetico a ciascuno degli elementi magnetoresistenti, quindi le informazioni della registrazione sulla pluralità di elementi di memoria organizzati nella stessa fila o colonna.
