According to one embodiment of the invention, a method for forming multiple
layers of a semiconductor device is provided. The method includes defining
a via through a dielectric layer that overlies a first layer. The first
layer comprises a conductive portion that at least partly underlies the
via. The method also includes overfilling the via with a dielectric
material to form a second layer that overlies the dielectric layer. The
method also includes forming a trench that is connected to the via by
etching through the second layer and the dielectric material in the via.
Entsprechend einer Verkörperung der Erfindung, wird eine Methode für die Formung der mehrfachen Schichten eines Halbleiterelements zur Verfügung gestellt. Die Methode schließt das Definieren von von a über durch eine dielektrische Schicht ein, die eine erste Schicht überlagert. Die erste Schicht enthält einen leitenden Teil, den mindestens teils über zugrunde liegt. Die Methode schließt auch die Überfüllung ein, die über mit einem dielektrischen Material, um eine zweite Schicht zu bilden ist, die die dielektrische Schicht überlagert. Die Methode schließt auch die Formung eines Grabens ein, den an angeschlossen wird über, indem man durch die zweite Schicht ätzt und in über das dielektrische Material.
