A novel capacitively coupled NDR device can be used to implement a variety
of semiconductor circuits, including high-density SRAM cells and power
thyristor structures. In one example embodiment, the NDR device is used as
a thin vertical PNPN structure with capacitively-coupled gate-assisted
turn-off and turn-on mechanisms. An SRAM based on this new device is
comparable in cell area, standby current, architecture, speed, and
fabrication process to a DRAM of the same capacity. In one embodiment, an
NDR-based SRAM cell consists of only two elements, has an 8 F.sup.2
footprint, can operate at high speeds and low voltages, has a good
noise-margin, and is compatible in fabrication process with main-stream
CMOS. This cell significantly reduces standby power consumption compared
to other types of NDR-based SRAMs.
Un dispositif capacitively couplé du roman NDR peut être utilisé pour mettre en application une variété de circuits de semi-conducteur, y compris les cellules de SRAM et les structures à haute densité de thyristor de puissance. Dans une incorporation d'exemple, le dispositif de NDR est utilisé comme une structure mince de la verticale PNPN avec les mécanismes d'arrêt et d'ouverture porte-aidés capacitively-couplés. Un SRAM basé sur ce nouveau dispositif est comparable dans le secteur de cellules, le courant de secours, l'architecture, la vitesse, et le processus de fabrication à une DRACHME de la même capacité. Dans une incorporation, une cellule NDR-basée de SRAM se compose de seulement deux éléments, a une empreinte de pas 8 F.sup.2, peut fonctionner aux vitesses élevées et aux basses tensions, a une bonne bruit-marge, et est compatible dans le processus de fabrication avec le courant principal CMOS. Cette cellule réduit de manière significative la consommation d'alimentation générale comparée à d'autres types de SRAMs NDR-basé.
