This invention provides novel high density memory devices that are
electrically addressable permitting effective reading and writing, that
provide a high memory density (e.g., 10.sup.15 bits/cm.sup.3), that
provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to
efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are
intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or
non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device
comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium
having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states
wherein data is stored in said oxidation states by the addition or
withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the
electrically coupled electrode. The storage medium typically comprises a
storage molecule that is a triple-decker sandwich heterodimer. Such dimers
can provide 8 or more oxidation states and permit the storage of at least
3 bits per molecule.
Этот вымысел обеспечивает приспособлениями памяти плотности романа высокими будут электрически addressable позволяя эффективными чтением и сочинительством, которые обеспечивает высокую плотность памяти (например, 10.sup.15 bits/cm.sup.3), которые обеспечивает высокий степень устойчивости к погрешностям, и который согласно к эффективному химически изготовлению синтеза и обломока. Приспособления внутреннеприсуще latchable, изменяют веротерпимое, и поддерживают разрушительные или прочитанные циклы без разрушения. В предпочитаемом воплощении, приспособление состоит из фикчированного электрода электрически соединенного к носительа записи имея разносторонность по-разному и distinguishable положений оксидации при котором данные хранятся в сказанных положениях оксидации добавлением или разведением one or more электронов от сказанный носительа записи через электрически соединенный электрод. Носительа записи типично состоит из молекулы хранения будет vtro1ne-decker heterodimer сандвича. Такие димеры могут обеспечить 8 или больше положений оксидации и позволить хранение по крайней мере 3 битов в молекулу.
