A bottom electrode structure and manufacturing method is described for
producing crystallographically textured iridium electrodes for making
textured PZT capacitors that enables enhanced ferroelectric memory
performance. The use of seed layers originating from hexagonal crystal
structures with {0001} texture provides a smooth surface for growth of
{111} textured iridium, which exhibits the face-centered cubic ("FCC")
structure. This seeding technique results in {111} textured iridium with a
small surface roughness relative to the film thickness. The highly
textured iridium supports {111} textured PZT dielectric layer growth.
Textured PZT exhibits enhanced switched polarization, reduced operating
voltage and also improves the reliability of PZT capacitors used in
FRAM.RTM. memory and other microelectronic devices.
Структура нижнего электрода и производственный прочесс описаны для производить crystallographically текстурированные электроды иридия для делать текстурированные конденсаторы PZT включает увеличенное ferroelectric представление памяти. Польза слоев семени возникая от шестиугольных кристаллических структур с {0001} текстурой обеспечивает ровную поверхность для роста {111} текстурированного иридия, который exhibits центрогранная кубическая ("fcc") структура. Это осеменяя метод приводит к в {111} текстурированном иридии с малой поверхностной шершавостью по отношению к толщине пленки. Высоки текстурированный иридий поддерживает рост слоя {111} текстурированный PZT диэлектрический. Текстурированные экспонаты PZT увеличили переключенную поляризацию, уменьшенный рабочий потенциал и также улучшают надежность конденсаторов PZT используемых в памяти FRAM.RTM. и других микроэлектронных приспособлениях.
