A lithographic photoresist composition is provided that can be used as a
chemical amplification photoresist. In a preferred embodiment, the
composition is substantially transparent to deep ultraviolet radiation,
i.e., radiation of a wavelength less than 250 nm, including 157 nm, 193 nm
and 248 nm radiation, and has improved sensitivity and resolution. The
composition comprises a fluorinated vinylic polymer, particularly a
fluorinated methacrylate, a fluorinated methacrylonitrile, or a
fluorinated methacrylic acid, and a photoacid generator. The polymer may
be a homopolymer or a copolymer. A process for using the composition to
generate resist images on a substrate is also provided, i.e., in the
manufacture of integrated circuits or the like.
Uma composição lithographic do photoresist é contanto que pode ser usado como um photoresist químico do amplification. Em uma incorporação preferida, a composição é substancialmente transparente à radiação ultravioleta profunda, isto é, radiação de um wavelength menos de 250 nm, including 157 nm, 193 nm e radiação de 248 nm, e melhorou a sensibilidade e a definição. A composição compreende um polímero vinylic fluorinated, particularmente um methacrylate fluorinated, um methacrylonitrile fluorinated, ou um ácido methacrylic fluorinated, e um gerador do photoacid. O polímero pode ser um homopolymer ou um copolymer. Um processo para usar a composição gerar resiste imagens em uma carcaça é fornecido também, isto é, na manufatura de circuitos integrados ou do gosto.
