The present invention relates to a field emission device and a method of
fabricating the same. The method includes forming a hole having a
nanometer size using silicon semiconductor process and then forming an
emitter within the hole to form a field emission device. Therefore, the
present invention can reduce the driving voltage and thus lower the power
consumption.
La présente invention concerne un dispositif d'émission de champ et une méthode de fabriquer la même chose. La méthode inclut former un trou ayant une taille de nanomètre en utilisant le processus de semi-conducteur de silicium et puis formant un émetteur dans le trou pour former un dispositif d'émission de champ. Par conséquent, la présente invention peut réduire la tension de conduite et ainsi plus bas la puissance d'énergie.
