The compound 2,4,6-trimethyl-2,4,6-trisila heptane, the preparation
thereof, and the use thereof as a silicon carbide precursor in chemical
vapor deposition and infiltration procedures are disclosed.
L'eptano compound 2,4,6-trimethyl-2,4,6-trisila, la preparazione di ciò e l'uso di ciò come precursore del carburo del silicone nelle procedure di deposito e di infiltrazione di vapore chimico sono rilevati.
