An object of the invention is to provide an anti-glare, anti-reflection
film of which various characteristics such as anti-reflection,
contamination resistance, scratch-resistance and transmission image
sharpness, among which anti-reflection is particularly important, are
consistent with a sufficiently high anti-glare property when the film is
loaded in image display devices, in particular, a high-resolution liquid
crystal display device, and which can be produced entirely by wet coating
processes at a low manufacturing cost, and further provide a liquid
crystal display excelling in image contrast, image visibility and image
sharpness. The object is achieved by an anti-glare, anti-reflection film
made of a low refractive index layer provided on a transparent support,
and an anti-glare layer arranged between the transparent support and the
low refractive index layer, the surface energy of the anti-glare layer
being 25 mN.multidot.m.sup.-1 to 70 mN.multidot.m.sup.-1.
Ένα αντικείμενο της εφεύρεσης είναι να παρασχεθεί ένας αντιεκθαμβωτικός, ταινία η αντιαντανάκλαση του οποίου διάφορα χαρακτηριστικά όπως η αντιαντανάκλαση, αντίσταση μόλυνσης, γρατσουνιά-αντίσταση και οξύτητα εικόνας μετάδοσης, μεταξύ των οποίων η αντιαντανάκλαση είναι ιδιαίτερα σημαντική, είναι σύμφωνη με μια αρκετά υψηλή αντιεκθαμβωτική ιδιοκτησία όταν φορτώνεται η ταινία στις συσκευές επίδειξης εικόνας, ειδικότερα, μια υψηλής ευκρίνειας συσκευή υγρής επίδειξης κρυστάλλου, και που μπορεί να παραχθεί εξ ολοκλήρου με τις υγρές διαδικασίες επιστρώματος με χαμηλό κόστος παραγωγής, και να παρέχει περαιτέρω μια υγρή επίδειξη κρυστάλλου υπερέχοντας στην αντίθεση εικόνας, τη διαφάνεια εικόνας και την οξύτητα εικόνας. Το αντικείμενο επιτυγχάνεται από μια αντιεκθαμβωτική, ταινία αντιαντανάκλασης φιαγμένη από χαμηλό στρώμα διαθλαστικών δεικτών που παρέχονται σε μια διαφανή υποστήριξη, και αντιεκθαμβωτικό στρώμα που τακτοποιούνται μεταξύ της διαφανούς υποστήριξης και χαμηλό στρώμα διαθλαστικών δεικτών, η ενέργεια επιφάνειας του αντιεκθαμβωτικού στρώματος που είναι 25 μΝ.μuλτηδοτ.μ.σuπ.-1 έως 70 μΝ.μuλτηδοτ.μ.σuπ.-1.
