A low temperature CVD process using a tris (.beta.-diketonate) bismuth
precursor for deposition of bismuth ceramic thin films suitable for
integration to fabricate ferroelectric memory devices. Films of amorphous
SBT can be formed by CVD and then ferroannealed to produce films with
Aurivillius phase composition having superior ferroelectric properties
suitable for manufacturing high density FRAMs.
Een proces dat van lage temperatuurcCvd voorloper een van het tris (beta.-diketonate) gebruikt bismut voor deposito van bismut ceramische dunne films geschikt voor integratie om ferroelectric geheugenapparaten te vervaardigen. De films van amorfe SBT kunnen door CVD worden gevormd en ferroannealed toen om films met Aurivillius fasesamenstelling te produceren die superieure ferroelectric eigenschappen geschikt voor productie high-density FRAMs heeft.
