Disclosed is a system and method for forming a
current-perpendicular-to-plane (CPP) spin-valve sensor with one or more
metallic oxide barrier layers in order to provide a low junction
resistance and a high GMR coefficient. In disclosed embodiments, the
metallic oxide barrier layers are formed with oxygen-doping/in-situ
oxidation processes comprising depositing a metallic film in a first
mixture of argon and oxygen gases and subsequent in-situ oxidization in a
second mixture of argon and oxygen gases. The exposure to oxygen may be
conducted at a low partial oxygen pressure and at a moderate temperature.
Smaller, more sensitive CPP spin-valve sensors may be formed through the
use of the oxygen-doping/in-situ oxidization processes of the present
invention, thus allowing for greater densities of disk drive systems.
Показаны система и метод для формировать датчик закручивать-klapana в настоящее время-перпендикулярн-к-ploskosti (CPP) с one or more металлическими слоями барьера окиси для того чтобы обеспечить низкое сопротивление соединения и высокий коэффициент GMR. В показанных воплощениях, металлические слои барьера окиси сформированы при процессы оксидации oxygen-doping/in-situ состоя из депозирующ металлическую пленку в первой смеси газов аргона и кислорода и затем in-situ oxidization в второй смеси газов аргона и кислорода. Подвержение к кислороду может быть дирижирована на низком частично давлении кислорода и на вмеру температуре. Более малые, более чувствительные датчики закручивать-klapana CPP могут быть сформированы через пользу процессов oxidization oxygen-doping/in-situ присытствыющего вымысла, таким образом позволяющ для больших плотностей сыстемы драйва диска.
