A process for forming a portion of an integrated circuit includes placing a
layer of material on a substrate, in which the material includes a
polymeric composition or a precursor to a dielectric composition. The
material is contacted with a stamping surface having relief structures
that define a pattern, so that a patterned layer is formed as a result of
the contact, which may include heating the material to mold it. A metal
film or layer is then deposited onto the patterned layer. The metal can
then be planarized to form a layer of an integrated circuit. A
decomposable or sacrificial polymer is preferably included in the
material, so that porous dielectric material is formed, thereby leading to
a lower dielectric constant of the end product.
Un processo per formare una parte di un circuito integrato include la disposizione dello strato di materiale su un substrato, in cui il materiale include una composizione polimerica o un precursore ad una composizione dielettrica. Il materiale si mette in contatto con con una superficie di timbratura che ha strutture di rilievo che definiscono un modello, di modo che uno strato modellato è formato come conseguenza del contatto, che può includere il riscaldamento del materiale per modellarlo. Una pellicola o uno strato del metallo allora è depositata sullo strato modellato. Il metallo può allora essere planarized per formare uno strato di un circuito integrato. Un polimero scomponibile o sacrificial è incluso preferibilmente nel materiale, di modo che il materiale dielettrico poroso è formato, quindi conducente ad un costante dielettrico più basso del prodotto finale.
