For providing a cleaning technique capable of removing metal contamination
at a low temperature and in a short period of time, an aqueous solution
containing 0.1 to 15% by weight of hydrochloric acid, 0.01 to 0.3% by
weight of hydrofluoric acid and 0.1 to 15% by weight of hydrogen peroxide
is used as a cleaning solution for cleaning a semiconductor substrate
after forming a gate electrode of a polymetal structure on the
semiconductor substrate.
Per fornire una tecnica di pulizia capace di rimozione della contaminazione di metallo ad una temperatura insufficiente ed in un periodo di tempo corto, una soluzione acquosa contenere 0.1 - 15% del peso dell'acido cloridrico, 0.01 - 0.3% del peso dell'acido fluoridrico e 0.1 - 15% del peso del perossido di idrogeno รจ usato come soluzione di pulizia per la pulitura del substrato a semiconduttore dopo avere formato un elettrodo di cancello di una struttura polymetal sul substrato a semiconduttore.
