A plasma processing apparatus includes, in order to efficiently cool an
insulating plate having a relatively low thermal conductivity, a process
chamber, the insulating plate divided into a plurality of regions and
attached airtightly to the ceiling of the process chamber, a planar
antenna member placed above the insulating plate and including microwave
radiation holes for transmitting therethrough microwave used for
generating plasma, and a support frame member supporting the insulating
plate divided into a plurality of regions and including a heat medium path
for flowing a heat medium along a line by which the insulating plate is
divided into a plurality of regions and along a peripheral part of the
insulating plate.
Un plasma che procede l'apparecchio include, per raffreddare efficientemente una piastra isolante che ha una conducibilità termica relativamente bassa, un alloggiamento trattato, la piastra isolante divisa in una pluralità di regioni e fissata ermeticamente al soffitto dell'alloggiamento trattato, un membro planare dell'antenna disposto sopra la piastra isolante ed includente i fori di radiazione di microonda per trasmettere perciò la microonda usata per la generazione del plasma e un membro della struttura di sostegno che sostiene la piastra isolante divisa in una pluralità di regioni e che include un percorso medio di calore per fluire un mezzo di calore seguendo una linea da cui la piastra isolante è divisa in una pluralità delle regioni e lungo una parte periferica della piastra isolante.
