This invention aims to provide a protecting method for a semiconductor
wafer which can prevent breakage of a semiconductor wafer even when a
semiconductor wafer is thinned to a thickness of 200 .mu.m or less, and a
surface protecting adhesive film for a semiconductor wafer used in the
protecting method. According to this invention, there is provided a
protecting method for a semiconductor wafer comprising a first step of
adhering a surface protecting adhesive film for a semiconductor wafer to a
circuit-formed surface of the semiconductor wafer, a second step of
processing a non-circuit-formed surface of the semiconductor wafer and a
third step of adhering a bonding film for die bonding to the
non-circuit-formed surface of the semiconductor wafer, characterized in
that the third step is performed without peeling the surface protecting
adhesive film for the semiconductor wafer, and an adhesive film in which
an adhesive layer is formed on one surface of a substrate film at least
one layer of which is made of a resin having a melting point of
200.degree. C. or more is used, and a surface protecting adhesive film for
a semiconductor wafer used in the protecting method.
Esta invenção aponta fornecer um método protegendo para um wafer de semicondutor que possa impedir a ruptura de um wafer de semicondutor mesmo quando um wafer de semicondutor é diluído a uma espessura do mu.m 200 ou mais menos, e de uma superfície que protege a película adesiva para um wafer de semicondutor usado no método protegendo. De acordo com esta invenção, é fornecido um método protegendo para um wafer de semicondutor que compreende uma primeira etapa de aderir uma superfície que protege a película adesiva para um wafer de semicondutor a uma superfície circuito-dada forma do wafer de semicondutor, uma segunda etapa de processar uma superfície non-circuito-dada forma do wafer de semicondutor e uma terceira etapa de aderir uma película da ligação para o dado que liga-se à superfície non-circuito-dada forma do wafer de semicondutor, caracterizada que a terceira etapa está executada sem descascar a superfície que protege a película adesiva para o wafer de semicondutor, e de uma película adesiva em que uma camada adesiva é dada forma em uma superfície de uma película da carcaça ao menos uma camada de que é feito do resina que tem um ponto de derretimento de 200.degree. O C. ou mais são usados, e uma superfície que protege a película adesiva para um wafer de semicondutor usado no método protegendo.
