On the surface of a conductive substrate (1) of GaAs, Ge, Si, etc., a
semiconductor lamination section including a light emitting layer forming
portion (11) that has at least an n-type layer (4) and a p-type layer (6)
made from a compound semiconductor of a Group III element and nitrogen and
that is laminated so as to form a light emitting layer is formed through a
buffer layer (2) suitable for the substrate. As a result, a semiconductor
light emitting device using a Group III nitride compound semiconductor,
which is of a vertical type that allows electrodes to be taken out from
both of the upper and lower surfaces of a chip, has superior crystalline
properties with high light emitting efficiency, and exhibits cleavage, is
obtained. Therefore, it is possible to easily mount a LD chip on a
sub-mount having a good thermal conductivity, and consequently to prevent
a reduction and degradation in the light emitting efficiency (differential
quantum efficiency) due to heat.
Na superfície de uma carcaça condutora (1) do GaAs, do Ge, do silicone, etc., de uma seção da laminação do semicondutor including uma camada emitindo-se clara que dá forma à parcela (11) que tem ao menos um n-tipo camada (4) e um p-tipo camada (6) fizeram de um semicondutor composto de um elemento do grupo III e o nitrogênio e que é laminado para dar forma uma camada se emitindo clara é dado forma com uma camada do amortecedor (2) apropriada para a carcaça. Em conseqüência, um dispositivo emitindo-se claro do semicondutor que usa um semicondutor composto do nitride do grupo III, que seja de um tipo vertical que permita que os elétrodos sejam removidos de ambas as superfícies superiores e mais baixas de uma microplaqueta, tenha propriedades cristalinas superiores com eficiência se emitindo clara elevada, e exiba o cleavage, é obtido. Conseqüentemente, é possível montar fàcilmente uma microplaqueta do LD no secundário-monta ter um conductivity térmico bom, e impedir conseqüentemente uma redução e uma degradação na eficiência emitindo-se clara (eficiência diferencial do quantum) devido ao calor.
