A semiconductor integrated circuit device includes a silicon substrate
having a first region and a second region identical in conductivity type
to the first region and having a lower dopant concentration than the first
region, a second MOS transistor on a main surface of the second region as
a radio frequency switch circuit switching on and off input and output of
a radio frequency signal, and a first MOS transistor on a main surface of
the first region in a radio frequency circuit other than the radio
frequency switch circuit. A high performance, highly reliable
semiconductor integrated circuit with an RE switch circuit provided on a
silicon substrate as a system on a chip.
Um dispositivo do circuito integrado do semicondutor inclui uma carcaça do silicone que tem uma primeira região e uma segunda região idênticas no tipo do conductivity à primeira região e que tem uma concentração de dopant mais baixa do que a primeira região, um segundo transistor do MOS em uma superfície principal da segunda região como um switching de circuito do interruptor da freqüência de rádio e fora da entrada e a saída de uma freqüência de rádio sinalizam, e um primeiro transistor do MOS em uma superfície principal da primeira região em um circuito da freqüência de rádio à excepção do circuito do interruptor da freqüência de rádio. Um desempenho elevado, circuito integrado do semicondutor altamente de confiança com um circuito RE do interruptor forneceu em uma carcaça do silicone como um sistema em uma microplaqueta.
