A SiC wafer comprises a 4H polytype SiC substrate 2 in which the crystal
plane orientation is substantially {03-38}, and a buffer layer 4 composed
of SiC formed over this SiC substrate 2. The {03-38} plane forms an angle
of approximately 35.degree. with respect to the <0001> axial
direction in which micropipes and so forth extend, so micropipes and so
forth are eliminated at the crystal sides, and do not go through to an
active layer 6 on the buffer layer 4. Lattice mismatching between the SiC
substrate 2 and the active layer 6 is suppressed by the buffer layer 4.
Furthermore, anisotropy in the electron mobility is low because a 4H
polytype is used. Therefore, it is possible to obtain a SiC wafer and a
SiC semiconductor device with which there is little anisotropy in the
electron mobility, and strain caused by lattice mismatching can be
lessened, as well as a method for manufacturing these.
Вафля SiC состоит из субстрата 2 SiC polytype 4H в crystal плоская ориентация находится существенн {03-38}, и слоя 4 буфера составленного SiC сформированного над этим субстратом 2 SiC. {03-38} плоские формы угол приблизительно 35.degree. по отношению к осевому направлению в micropipes и так далее удлиняют, поэтому micropipes и так далее исключены на crystal сторонах, и не идут до конца к активно слою 6 на слое 4 буфера. Решетка рассогласовывая между субстратом 2 SiC и активно слоем 6 подавлена слоем 4 буфера. Furthermore, неизотропность в удобоподвижности электрона низка потому что polytype 4H использовано. Поэтому, по возможности получить вафлю SiC и прибора на полупроводниках SiC с которой будет меньшяя неизотропность в удобоподвижности электрона, и напряжение причиненное рассогласовывать решетки можно lessened, также,как метод для изготовлять эти.
