A nitride-based semiconductor element capable of effectively preventing a
nitride-based semiconductor layer of a first area from cracking and
reducing the degree of warpage of a substrate is obtained. This
nitride-based semiconductor element comprises a first region formed on a
prescribed region of a substrate and provided with an element including a
first nitride-based semiconductor layer having a prescribed thickness and
a second region formed on a region of the substrate other than the first
region and provided with the first nitride-based semiconductor layer with
a thickness smaller than the thickness in the first region. Thus, strain
easily concentrates to the second region provided with the first
nitride-based semiconductor layer with the smaller thickness, whereby
strain of the first region provided with the element is relaxed.
Um elemento nitride-baseado do semicondutor capaz eficazmente de impedir que uma camada nitride-baseada do semicondutor de uma primeira área rache e reduza o grau de warpage de uma carcaça é obtido. Este elemento nitride-baseado do semicondutor compreende uma primeira região dada forma em uma região prescrita de uma carcaça e desde que com um elemento including um primeiro nitride-baseou a camada do semicondutor que tem uma espessura prescrita e uma segunda região dadas forma em uma região da carcaça à excepção da primeira região e desde que com a primeira nitride-baseou a camada do semicondutor com uma espessura menor do que a espessura na primeira região. Assim, a tensão concentra fàcilmente à segunda região fornecida com a primeira camada nitride-baseada do semicondutor com a espessura menor, por meio de que a tensão da primeira região fornecida com o elemento é relaxada.
