To enhance the emission output of the light emitting device including an
active layer made of nitride semiconductor containing In, the light
emitting device having an active layer between the n-type semiconductor
layer and the p-type semiconductor layer, characterized in that the active
layer comprises an well layer made of In.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N (x1>0)
containing In and a first barrier layer made of Al.sub.y2 Ga.sub.1-y2 N
(y2>0) containing Al formed on the well layer.
Para realçar a saída da emissão do dispositivo emitindo-se claro including uma camada ativa feita do semicondutor do nitride que contem dentro, o dispositivo emitindo-se claro que têm uma camada ativa entre o n-tipo camada do semicondutor e o p-tipo semicondutor mergulham, caracterizado que a camada ativa compreende uma camada boa feita de In.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N (x1 0) que contem dentro e uma primeira camada de barreira feita de Al.sub.y2 Ga.sub.1-y2 N (y2 0) que contem o al dado forma na camada boa.
