A plasma display device comprises a first panel provided with discharge
sustaining electrodes and a dielectric layer on the inside thereof, and a
second panel laminated on the first panel so as to form discharge spaces
on the inside, wherein the dielectric layer comprises a silicon oxide
layer having a density of not less than 6.1.times.10.sup.22
atoms/cm.sup.3. Preferably, the density of the silicon oxide layer is not
less than 6.4.times.10.sup.22 atoms/cm.sup.3. Where a sputtering method is
used as a method of forming the silicon oxide layer, the concentration of
oxygen gas in an atmosphere gas introduced into the sputtering apparatus
is controlled to be 5 to 30 vol % during film formation.
Um dispositivo de exposição do plasma compreende um primeiro painel fornecido com os elétrodos sustentando da descarga e uma camada dieléctrica no interior disso, e um segundo painel laminado no primeiro painel para dar forma a espaços da descarga no interior, wherein a camada dieléctrica compreende uma camada do óxido do silicone que tem uma densidade de não mais menos do que 6.1.times.10.sup.22 atoms/cm.sup.3. Preferivelmente, a densidade da camada do óxido do silicone não é menos do que 6.4.times.10.sup.22 atoms/cm.sup.3. Onde um método sputtering é usado como um método de dar forma à camada do óxido do silicone, a concentração do gás do oxigênio em um gás da atmosfera introduzido no instrumento sputtering é controlada para ser 5 a 30 vol % durante a formação da película.
