Sputtering target, A1 interconnection film, and electronic component

   
   

A sputtering target consists essentially of 0.1 to 50% by weight of at least one kind of element that forms an intermetallic compound with Al, and the balance of Al. The element that forms an intermetallic compound with Al is uniformly dispersed in the target texture, and in a mapping of EPMA analysis, a portion of which count number of detection sensitivity of the element is 22 or more is less than 60% by area ratio in a measurement area of 20.times.20 .mu.m. According to such a sputtering target, even when a sputtering method such as long throw sputtering or reflow sputtering is applied, giant dusts or large concavities can be suppressed in occurrence.

Un obiettivo di polverizzazione è costituito essenzialmente da 0.1 - 50% a peso di almeno un genere di elemento che forma un residuo intermetallic con Al e l'equilibrio di Al. L'elemento che forma un residuo intermetallic con Al uniformemente è disperso nella struttura dell'obiettivo ed in un tracciato dell'analisi di EPMA, una parte di cui conta il numero di sensibilità di rilevazione dell'elemento sono 22 o più è meno di 60% dal rapporto di zona in una zona di misura di mu.m 20.times.20. Secondo un tal obiettivo di polverizzazione, anche quando un metodo di polverizzazione quali la polverizzazione lunga o il reflow del tiro che polverizza è applicato, il gigante impolvera o le grandi concavità possono essere soppresse nel caso.

 
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