A semiconductor laser device (30) includes a layered structure formed on an
n-type GaAs substrate (32) having a bandgap energy Eg1 and including an
n-type AlGaAs cladding layer (34), an active layer (36) including a
quantum-well structure of two layers InGaAs/GaAs having a bandgap energy
Eg2 which is smaller than Eg1, a p-type AlGaAs cladding layer (38), and a
p-type GaAs cap layer (40), which are consecutively epitaxially grown. The
cap layer and the upper portion of the p-type cladding layer are formed as
a stripe-shaped mesa structure. An SiN passivation film (42) is formed on
the areas except for the top of the cap layer. On the exposed cap layer
and the passivation layer a p-side electrode (44) is formed. On the bottom
surface of the substrate an n-side electrode (46) including layered metal
films of In/AuGe/Ni/Au is formed. An absorption medium layer is interposed
between the GaAs substrate and the n-side electrode.
Μια συσκευή λέιζερ ημιαγωγών (30) περιλαμβάνει μια βαλμένη σε στρώσεις δομή που διαμορφώνεται σε ένα gaAs ν-τύπων υπόστρωμα (32) που έχει μια ενέργεια bandgap Eg1 και συμπεριλαμβανομένου ενός στρώματος επένδυσης ν-τύπων AlGaAs (34), ένα ενεργό στρώμα (36) συμπεριλαμβανομένης μιας δομής κβαντικός-φρεατίων δύο στρωμάτων InGaAs/$l*gaAs που έχει μια ενέργεια bandgap Eg2 που είναι μικρότερη από Eg1, ένα στρώμα επένδυσης π-τύπων AlGaAs (38), και ένα gaAs ΚΑΠ π-τύπων στρώμα (40), η οποία κατά συνέπεια epitaxially αυξάνεται. Το στρώμα ΚΑΠ και η ανώτερη μερίδα του στρώματος επένδυσης π-τύπων διαμορφώνονται ως λωρίδα-διαμορφωμένη δομή mesa. Μια ταινία παθητικότητας SiN (42) διαμορφώνεται στις περιοχές εκτός από την κορυφή του στρώματος ΚΑΠ. Στο εκτεθειμένο στρώμα ΚΑΠ και το στρώμα παθητικότητας ένα π-δευτερεύον ηλεκτρόδιο (44) διαμορφώνεται. Στην κατώτατη επιφάνεια του υποστρώματος ένα ν-δευτερεύον ηλεκτρόδιο (46) συμπεριλαμβανομένων των βαλμένων σε στρώσεις ταινιών μετάλλων In/AuGe/Ni/Au διαμορφώνεται. Ένα μέσο στρώμα απορρόφησης παρεμβάλλεται μεταξύ του gaAs υποστρώματος και του ν-δευτερεύοντος ηλεκτροδίου.
