A process for producing monocrystalline semiconductor layers. In an
exemplary embodiment, a graded Si.sub.1-x Ge.sub.x (x increases from 0 to
y) is deposited on a first silicon substrate, followed by deposition of a
relaxed Si.sub.1-y Ge.sub.y layer, a thin strained Si.sub.1-z Ge.sub.z
layer and another relaxed Si.sub.1-y Ge.sub.y layer. Hydrogen ions are
then introduced into the strained Si.sub.z Ge.sub.z layer. The relaxed
Si.sub.1-y Ge.sub.y layer is bonded to a second oxidized substrate. An
annealing treatment splits the bonded pair at the strained Si layer, such
that the second relaxed Si.sub.1-y Ge.sub.y layer remains on the second
substrate. In another exemplary embodiment, a graded Si.sub.1-x Ge.sub.x
is deposited on a first silicon substrate, where the Ge concentration x is
increased from 0 to 1. Then a relaxed GaAs layer is deposited on the
relaxed Ge buffer. As the lattice constant of GaAs is close to that of Ge,
GaAs has high quality with limited dislocation defects. Hydrogen ions are
introduced into the relaxed GaAs layer at the selected depth. The relaxed
GaAs layer is bonded to a second oxidized substrate. An annealing
treatment splits the bonded pair at the hydrogen ion rich layer, such that
the upper portion of relaxed GaAs layer remains on the second substrate.
Un proceso para producir capas monocristalinas del semiconductor. En una encarnación ejemplar, un Si.sub.1-x calificado Ge.sub.x (los aumentos de x a partir de la 0 a y) se depositan en un primer substrato del silicio, seguido por la deposición de una capa relajada de Si.sub.1-y Ge.sub.y, de una capa filtrada fina y de otra de Si.sub.1-z Ge.sub.z capa relajada de Si.sub.1-y Ge.sub.y. Los iones de hidrógeno entonces se introducen en la capa filtrada de Si.sub.z Ge.sub.z. La capa relajada de Si.sub.1-y Ge.sub.y se enlaza a un segundo substrato oxidado. Un tratamiento del recocido parte el par consolidado en la capa filtrada del silicio, tal que sigue habiendo el segundo relajó capa de Si.sub.1-y Ge.sub.y en el segundo substrato. En otra encarnación ejemplar, un Si.sub.1-x calificado Ge.sub.x se deposita en un primer substrato del silicio, donde la concentración x de la GE se aumenta a partir de la 0 a 1. Entonces una capa relajada del GaAs se deposita en el almacenador intermediario relajado de la GE. Mientras que la constante del enrejado del GaAs está cerca de la de la GE, el GaAs tiene alta calidad con defectos limitados de la dislocación. Los iones de hidrógeno se introducen en la capa relajada del GaAs en la profundidad seleccionada. La capa relajada del GaAs se enlaza a un segundo substrato oxidado. Un tratamiento del recocido parte el par consolidado en la capa rica del ion de hidrógeno, tal que sigue habiendo la porción superior de la capa relajada del GaAs en el segundo substrato.
