A ridge waveguide distributed feedback laser includes a p-type InGaAsP
grating layer having a p-type carrier density ranging from
1.5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 to 4.0.times.10.sup.-3 cm.sup.-3 and
preferably from 2.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3 to 3.0.times.10.sup.18
cm.sup.-3. In combination with such raised levels of p-type carrier
density in the InGaAsP grating layer, the p-type carrier density may also
be enhanced both in a p-type InP layer between the grating layer and a
contact layer, and in another p-type InP layer between the grating layer
and a quantum well active layer, the density ranging from
1.5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 to 4.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3 and
preferably from 2.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3 to 3.0.times.10.sup.18
cm.sup.-3.
Un laser de regeneración distribuida de la guía de onda del canto incluye un p-tipo capa grating de InGaAsP que tiene un p-tipo densidad del portador el extenderse de 1.5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 a 4.0.times.10.sup.-3 cm.sup.-3 y preferiblemente de 2.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3 a 3.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3. Conjuntamente con tales niveles levantados del p-tipo densidad del portador en la capa grating de InGaAsP, el p-tipo densidad del portador se puede también realzar en un p-tipo capa del INP entre la capa grating y una capa del contacto, y en otro p-tipo capa del INP entre la capa grating y una capa activa del pozo del quántum, la densidad que se extiende de 1.5.times.10.sup.18 cm.sup.-3 a 4.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3 y preferiblemente de 2.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3 a 3.0.times.10.sup.18 cm.sup.-3.
