Disclosed is an ISFET comprising a H.sup.+ -sensing membrane consisting of
RF-sputtering a-WO.sub.3. The a-WO.sub.3 /SiO.sub.2 -gate ISFET of the
present invention is very sensitive in aqueous solution, and particularly
in acidic aqueous solution. The sensitivity of the present ISFET ranges
from 50 to 58 mV/pH. In addition, the disclosed ISFET has high linearity.
Accordingly, the disclosed ISFET can be used to detect effluent.
Onthuld=wordt= bestaan uit ISFET H.sup. + - ontdekkend membraan dat bestaat uit rf-Sputtert a-wO.sub.3. A-wO.sub.3/SiO.sub.2 - de poort ISFET van de onderhavige uitvinding is zeer gevoelig in oplossing in water, en in het bijzonder in zuurrijke oplossing in water. De gevoeligheid van huidige ISFET strekt zich van 50 uit tot 58 mV/pH. Bovendien heeft onthulde ISFET hoge lineariteit. Dienovereenkomstig, kan onthulde ISFET worden gebruikt om aftakking te ontdekken.
