A laser device, in particular a semiconductor laser, emitting optical
radiation with a defined mode pattern can be produced from a standard
Fabry-Perot (FP) laser by post-processing at the wafer level, i.e. before
the wafer is separated into individual dies by cleaving/dicing. A
sub-cavity is formed within the FP laser cavity. The sub-cavity has a
predetermined length and is located between the FP facets. An aperiodic
grating composed of a small number of contrast elements, typically less
than 10, with predetermined inter-element separations and predetermined
spacings relative to the sub-cavity is formed on or in the optical
waveguide. The inter-element separations and the spacings relative to the
sub-cavity produce a filtering function of the aperiodic grating for
optical radiation propagating in the waveguide. The laser device is
suitable for telecommunications applications due to its high
side-mode-suppression ratio and narrow-linewidth.
Um dispositivo do laser, no detalhe um laser do semicondutor, emitindo-se a radiação ótica com um teste padrão definido da modalidade pode ser produzido de um laser padrão de Fabry-Perot (FP) post-processing no nível do wafer, isto é antes que o wafer esteja separado em dados individuais por cleaving/dicing. Uma secundário-cavidade é dada forma dentro da cavidade do laser do FP. A secundário-cavidade tem um comprimento predeterminado e é ficada situada entre os facets do FP. Um grating aperiodic composto de um número pequeno de elementos do contraste, tipicamente menos de de 10, com separações predeterminadas do inter-elemento e afastamentos predeterminados relativo à secundário-cavidade é dado forma ou no waveguide ótico. As separações do inter-elemento e os afastamentos relativo à secundário-cavidade produzem uma função filtrando do grating aperiodic para a radiação ótica que propaga no waveguide. O dispositivo do laser é apropriado para as aplicações das telecomunicações devido a seus relação e estreito-narrow-linewidth elevados da lado-modalidade-supressão.
