A single electron tunnelling device is formed by positioning between first
and second electrodes a particle formed of a material having a first
conductivity characteristic having a surface layer of a material of a
second conductivity characteristic, the thickness of said layer being
sufficiently small to support quantum mechanical tunnelling therethrough.
Одиночное приспособление прокладывать тоннель электрона сформировано путем располагать сперва и вторые электроды, котор частица сформировала материала имея первую проводимость характерную имеющ поверхностный слой материала второй характеристики проводимости, толщина сказанного слоя достаточно мало поддержать прокладывать тоннель суммы механически therethrough.
