In a Czochralski (CZ) single crystal puller equipped with a cooler and a
thermal insulation member, which are to be disposed in a CZ furnace,
smooth recharge and additional charge of material are made possible.
Further, elimination of dislocations from a silicon seed crystal by use of
the Dash's neck method can be performed smoothly. To these ends, there is
provided a CZ single crystal puller, wherein a cooler and a thermal
insulation member are immediately moved upward away from a melt surface
during recharge or additional charge of material or during elimination of
dislocations from a silicon seed crystal by use of the Dash's neck method.
In einer Czochralski (CZ) einzelnen Kristallziehapparatur, die mit einem kühlere und thermische Isolierung Mitglied, die in einem CZ Ofen abgeschaffen werden sollen ausgerüstet wird, wird glattes Nachladen und zusätzliche Aufladung des Materials ermöglicht. Weiter kann Beseitigung von Verschiebungen von einem Silikonimpfkristall mittels die Ansatzmethode des Schlages glatt durchgeführt werden. Zu diesen Enden wird einer CZ einzelnen Kristallziehapparatur zur Verfügung gestellt, worin ein kühlere und thermische Isolierung Mitglied sofort aufwärts weg von einer Schmelzoberfläche während des Nachladens oder der zusätzlichen Aufladung des Materials oder während der Beseitigung von Verschiebungen von einem Silikonimpfkristall mittels die Ansatzmethode des Schlages verschoben werden.
