Method of manufacture of a composite wiring structure for use with at least
one semiconductor device, the structure having a first conductive member
upon which the semiconductor device can be mounted for electrical
connection thereto. A dielectric member, made of ceramic or organo-ceramic
composite material, is bonded to the first conductive member and contains
embedded therein a conductive network and a thermal distribution network.
A second conductive member may be incorporated with the composite wiring
structure, with a capacitor electrically connected between the conductive
network and the second conductive member. Bonding between the dielectric
member and the conductive members may be in the form of a direct covalent
bond formed at a temperature insufficient to adversely effect the
structural integrity of the conductive network and the thermal
distribution network.
Methode van vervaardiging van een samengestelde bedradingsstructuur voor gebruik met minstens één halfgeleiderapparaat, de structuur die een eerste geleidend lid heeft waarop het halfgeleiderapparaat voor elektroverbinding kan daaraan worden opgezet. Een diëlektrisch lid, dat van ceramisch of organo-ceramisch samengesteld materiaal wordt gemaakt, wordt geplakt op het eerste geleidende lid en bevat daarin ingebed een geleidend netwerk en een thermisch distributienetwerk. Een tweede geleidend lid kan met de samengestelde bedradingsstructuur, met een condensator worden opgenomen die elektrisch tussen het geleidende netwerk en het tweede geleidende lid wordt verbonden. Het plakken tussen het diëlektrische lid en de geleidende leden kan in de vorm van een directe covalente band zijn die bij een temperatuur ontoereikend de structurele integriteit van het geleidende netwerk en het thermische distributienetwerk ongunstig om uit te voeren wordt gevormd.
