A magnetoresistance sensor structure is formed of a magnetoresistance
sensor having a transverse biasing stack including a transverse pinning
layer made of a transverse-pinning-layer antiferromagnetic material, and a
transverse pinned layer structure overlying the transverse pinning layer,
a spacer layer overlying the transverse pinned layer structure, a sensing
stack overlying the spacer layer, and a decoupling layer overlying the
sensing stack. A longitudinal biasing stack overlies the magnetoresistance
sensor and includes a longitudinal pinned layer, and a longitudinal
pinning layer overlying the longitudinal pinned layer and made of a
longitudinal-pinning-layer antiferromagnetic material. The
transverse-pinning-layer antiferromagnetic material and the
longitudinal-pinning-layer antiferromagnetic material are preferably
Pt--Mn or Ni--Mn.
Una struttura del sensore di magnetoresistenza รจ formata di un sensore di magnetoresistenza che hanno una pila influenzante trasversale compreso uno strato appuntante trasversale fatto di un materiale antiferromagnetic di trasversale-appunt-strato e di una struttura appuntata trasversale di strato che ricopre lo strato appuntante trasversale, uno strato del distanziatore che ricopre la struttura appuntata trasversale di strato, una pila di rilevamento che ricopre lo strato del distanziatore e uno strato di disaccoppiamento che ricopre la pila di rilevamento. Una pila influenzante longitudinale ricopre il sensore di magnetoresistenza ed include uno strato appuntato longitudinale e uno strato appuntante longitudinale che ricopre lo strato appuntato longitudinale e fatto di un materiale antiferromagnetic di longitudinale-appunt-strato. Il materiale antiferromagnetic di trasversale-appunt-strato ed il materiale antiferromagnetic di longitudinale-appunt-strato sono preferibilmente pinta -- manganese o Ni -- manganese.
