An object of the present invention is to provide a semiconductor laser
device which is capable of selectively emitting two kinds of laser light
of light emitting characteristics differing in wavelength, light emission
point, beam shape, light emission power, longitudinal mode and so on, by
switching the direction of the voltage applied to the device. There is
provided the semiconductor laser device including first and second laser
units, each unit having a ridge type structure and each unit comprising a
multilayer structure body made of at least an n-type semiconductor layer,
an active layer and a p-type semiconductor layer deposited in this order,
and a p-side electrode and an n-side electrode, wherein the p-side
electrode and the n-side electrode of the first laser unit and the n-side
electrode and the p-side electrode of the second laser unit are
electrically connected, respectively.
Um objeto da invenção atual é fornecer um dispositivo do laser do semicondutor que seja capaz seletivamente de se emitir dois tipos da luz de laser da luz se emitir as características que diferem no wavelength, ponto claro da emissão, forma do feixe, poder claro da emissão, modalidade longitudinal e assim por diante, comutando o sentido da tensão aplicada ao dispositivo. É fornecido o dispositivo do laser do semicondutor including primeiramente e segundas unidades do laser, cada unidade que têm um tipo estrutura do cume e cada unidade que compreendem um corpo multilayer da estrutura feito ao menos de um n-tipo camada do semicondutor, uma camada ativa e um p-tipo camada do semicondutor depositada nesta ordem, e um elétrodo do p-lado e um elétrodo do n-lado, wherein o elétrodo do p-lado e o elétrodo do n-lado da primeira unidade do laser e o elétrodo do n-lado e o elétrodo do p-lado da segunda unidade do laser são conectados eletricamente, respectivamente.
