A circuit is provided for the non-destructive, self-normalizing reading-out
of MRAM memory cells. Accordingly, read currents of a memory cell are
normalized by currents that are maintained at a voltage at which the size
of these currents is independent of the cell content. The circuit has a
simple construction and without great expenditure, permits the
normalization of a read signal.
Een kring wordt verstrekt voor niet destructief, lezing-uit zelf-normaliserend van MRAM geheugencellen. Dienovereenkomstig, lees de stromen van een geheugencel door stromen worden genormaliseerd die bij een voltage worden gehandhaafd waarbij de grootte van deze stromen van de celinhoud onafhankelijk is. De kring heeft een eenvoudige bouw en zonder grote uitgaven, toelaat de normalisatie van een gelezen signaal.
