A thin film transistor having a single LDD structure is provided. The
single LDD structure is disposed between source/drain structures, and
having a first side adjacent to a first one of the source/drain structures
and a second side spaced from a second one of the source/drain structures
by essentially a semiconductor material. Another thin film transistor
having a first kind of LDD and a second kind of LDD structure is also
provided. The second kind of LDD structure is adjacent to the first kind
of LDD structure. The process for manufacturing such thin film transistor
is also disclosed.
Обеспечен транзистор тонкой пленки имея одиночную структуру LDD. Одиночная структура LDD размещана между структурами source/drain, и иметь первую сторону за первое одной из структур source/drain и вторую сторону размеченную от второе одной из структур source/drain необходимо материалом полупроводника. Другой транзистор тонкой пленки имея первый вид LDD и второй вид структуры LDD также обеспечен. Второй вид структуры LDD за первым видом структуры LDD. Процесс для изготовлять такой транзистор тонкой пленки также показан.
