According to one disclosed embodiment, a transistor gate is fabricated on a
substrate. For example, the gate can be a polycrystalline silicon gate in
a FET. Thereafter, a conformal layer is deposited over the substrate and
the gate and is then etched back to form spacers on the sides of the gate.
An underlying dielectric layer is formed on the substrate, gate, and
spacers. The conformal layer and the underlying dielectric layer can be
comprised of, for example, a dielectric such as silicon dioxide, silicon
nitride, or a low-k dielectric. Next, an overcoat layer is fabricated on
the underlying dielectric layer. The overcoat layer can be, for example,
polycrystalline silicon. Following, an opening is etched in the overcoat
layer and the underlying dielectric layer wherein subsequent films can be
grown. For example, silicon germanium can be grown in the opening for
fabrication of a silicon germanium heterojunction bipolar transistor.
Entsprechend einem gab Verkörperung, ein Transistorgatter wird fabriziert auf einem Substrat frei. Z.B. kann das Gatter ein polykristallines Silikongatter in einem FET sein. Danach wird eine konforme Schicht über dem Substrat und dem Gatter niedergelegt und wird dann zurück zu Formdistanzscheiben auf den Seiten des Gatters geätzt. Eine zugrundeliegende dielektrische Schicht wird auf dem Substrat, dem Gatter und den Distanzscheiben gebildet. Die konforme Schicht und die zugrundeliegende dielektrische Schicht können von enthalten werden, z.B., ein Nichtleiter wie Silikondioxid, Silikonnitrid oder ein niedriger-k Nichtleiter. Zunächst wird eine Mantelschicht auf der zugrundeliegenden dielektrischen Schicht fabriziert. Die Mantelschicht kann z.B. polykristallines Silikon sein. Folgend, wird eine Öffnung in der Mantelschicht und in der zugrundeliegenden dielektrischen Schicht geätzt, worin folgende Filme gewachsen werden können. Z.B. kann Silikongermanium in der Öffnung für Herstellung eines zweipoligen Transistors des Silikongermanium Heterojunction gewachsen werden.
