An EDAM tool is provided with an OPEC module that performs optical and/or
process pre-compensations on an IC mask layout in a streamlined manner,
reusing determined corrections for a first area on a second area, when the
second area is determined to be equivalent to the first area for OPC
purposes. The OPC module performs the correction on the IC mask layout on
an area-by-area basis, and the corrections are determined iteratively
using model-based simulations, which in one embodiment, include resist
model-based simulations as well as optical model-based simulations.
Een hulpmiddel van EDAM wordt voorzien van een module van de OPEC die optische en/of proces pre-compensaties die op een IC maskerlay-out op een gestroomlijnde manier uitvoert, bepaalde correcties voor een eerste gebied op een tweede gebied opnieuw gebruiken, wanneer het tweede gebied om aan het eerste gebied voor de doeleinden van Portlandcement gelijkwaardig wordt bepaald te zijn. De module van Portlandcement voert de correctie op de IC maskerlay-out op uit een gebied-door-gebied basis, en de correcties worden bepaald vaak gebruikend model-gebaseerde simulaties, die in één belichaming, verzetten tegen model-gebaseerde simulaties evenals optische model-gebaseerde simulaties omvatten zich.
