There are provides the steps of forming sequentially a first conductive
film, a dielectric film, and a second conductive film on an insulating
film, forming a first film on the second conductive film, forming a second
film made of insulating material on the first film, forming hard masks by
patterning the second film and the first film into a capacitor planar
shape, etching the second conductive film and the dielectric film in a
region not covered with the hard masks, etching the first conductive film
in the region not covered with the hard masks up to a depth that does not
expose the insulating film, removing the second film constituting the hard
masks by etching, etching a remaining portion of the first conductive film
in the region not covered with the hard masks to the end, and removing the
first film.
Il y a fournit les étapes de former séquentiellement un premier film conducteur, un film diélectrique, et un deuxième film conducteur sur un film isolant, formant un premier film sur le deuxième film conducteur, formant un deuxième film fait de matériel isolant sur le premier film, formant les masques durs en modelant le deuxième film et le premier film dans une forme planaire de condensateur, gravant à l'eau-forte le deuxième film conducteur et le film diélectrique dans une région non couverte de masques durs, gravant à l'eau-forte le premier film conducteur dans la région non couverte de masques durs jusqu'à une profondeur qui n'expose pas le film isolant, enlevant le deuxième film constituant le dur masques graver à l'eau-forte, en gravant à l'eau-forte une partie restante du premier film conducteur dans la région non couverte de masques durs à l'extrémité, et en enlevant le premier film.
