To fabricate a buried ribbon laser, a thin n-doped layer is formed on a
p-doped layer immediately adjacent an active layer. After etching the
active layer to form the ribbon, the ribbon is buried in an n-doped layer
so that the four lateral faces of the ribbon are all in contact with an
n-doped layer. One face is in contact with the thin layer and the other
three faces are in contact with the burying layer. This improves the
electrical confinement of the ribbon.
Om een begraven lintlaser te vervaardigen, wordt een dunne n-gesmeerde laag gevormd op een p-gesmeerde laag onmiddellijk adjacent een actieve laag. Na het etsen van de actieve laag om het lint te vormen, wordt het lint begraven in een n-gesmeerde laag zodat de vier zijgezichten van het lint allen in contact met een n-gesmeerde laag zijn. Één gezicht is in contact met thin.layer en de andere drie gezichten zijn in contact met de het begraven laag. Dit verbetert de elektrobeperking van het lint.
