In a process of forming a film on a surface of a wafer by thermal
processing, laser light generated by a light source is depolarized by a
depolarizer and the deporlarized light is irradiated upon the surface of
wafer. As for the light reflected from the surface of wafer, polarization
components in predetermined two directions perpendicular to each other are
extracted by a beam splitter, and optical sensors receive the extracted
light components to detect each intensity. An analytical processing unit
determines a thickness of a formed film based on a change in a difference
in intensity.
En un proceso de formar una película en una superficie de una oblea por el proceso termal, la luz laser generada por una fuente de luz es despolarizada por un despolarizador y deporlarized la luz se irradia sobre la superficie de la oblea. Según lo para la luz reflejada de la superficie de la oblea, los componentes de la polarización en perpendicular predeterminado de dos direcciones son extraídos el uno al otro por un divisor de viga, y los sensores ópticos reciben los componentes ligeros extraídos para detectar cada intensidad. Una unidad de proceso analítica determina un grueso de una película formada basada en un cambio en una diferencia en intensidad.
