Disclosed are processes and reactor apparatus for rapidly producing large
diameter, high-purity polycrystalline silicon rods for semiconductor
applications. A.C. current, having a fixed or variable high frequency in
the range of about 2 kHz to 800 kHz, is provided to concentrate at least
70% of the current in an annular region that is the outer 15% of a growing
rod due to the "skin effect."
Onthuld worden de processen en de reactorapparaten om grote diameter, high-purity polycrystalline siliciumstaven voor halfgeleidertoepassingen snel te veroorzaken. A.C. de stroom, die een vaste of veranderlijke hoge frequentie in het bereik van ongeveer 2 kHz heeft aan 800 kHz, wordt verstrekt om minstens 70% van de stroom in een ringvormig gebied te concentreren dat buiten 15% van een het groeien staaf toe te schrijven aan het "huideffect." is
