The present invention is directed to a microelectric device and especially
a Field effect transistor comprising a source, drain, channel, an
insulating layer overlying said channel containing at least one closed
cage molecule, said closed cage molecule being capable of exhibiting a
Coulomb blockade effect upon application of a voltage between said source
and drain. Two different microelectronic devices are described containing
the closed cage molecule, a logic cell and a memory cell.
Die anwesende Erfindung wird auf eine mikroelektrische Vorrichtung und besonders einen auffangeneffekttransistor verwiesen, die eine Quelle, Abfluß, Führung, eine darüberliegende besagte Führung der Isolierschicht enthält, die mindestens ein geschlossenes Rahmenmolekül, das besagte geschlossene Rahmenmolekül enthält, das zum Ausstellen eines Coulombblockadeeffektes nach Anwendung einer Spannung zwischen besagter Quelle und Abfluß fähig ist. Zwei unterschiedliche Mikroelektronische Vorrichtungen werden das geschlossene Rahmenmolekül, eine Logikzelle und eine Speicherzelle enthalten beschrieben.
