In a fabrication process of a semiconductor device for use in a TFT liquid
crystal display system, before the start of crystallizing amorphous
silicon (a-Si), dehydrogenation annealing is carried out to not only
decrease the density of hydrogen in the p-Si film (13) to
5.times.10.sup.20 atoms/cm.sup.3 at most but also to prevent
crystallization of the a-Si film (13) being obstructed due to possible
excessive hydrogen remaining in the film. With the p-Si film (13) covered
with an interlayer insulation film (15) in the form of a plasma nitride
film, annealing is then carried out in nitrogen atmosphere at a
temperature of 350.degree. C. to 400.degree. C. for one to three hours,
more preferably 400.degree. C. for two hours. The result is that hydrogen
atoms in the p-Si film (13) efficiently terminate dangling bonds of the
film and hence do not become excessive, thus improving the electrical
characteristics of the semiconductor device.
В процессе изготовления прибора на полупроводниках для пользы в системе индикации кристалла TFT жидкостной, прежде чем старт выкристаллизовывать аморфический кремний (-Kremni1), отжиг разводороживания снесен вне not only для того чтобы уменьшить плотность водопода в пленке p-Si (13) к 5.times.10.sup.20 atoms/cm.sup.3 на большой части но также предотвратить кристаллизацию-Kremni1 пленки (13) помешанные должными к по возможности чрезмерно водоподу остающемуся в пленке. При пленка p-Si (13) покрынная с пленкой изоляции прослойка (15) in the form of пленка нитрида плазмы, обжигать после этого снесен вне в атмосферу азота на температуре 350.degree. C к 400.degree. C на от один до 3 часа, more preferably 400.degree. C на 2 часа. Результат что атомы водопода в пленке p-Si (13) эффективно прекращают dangling скрепления пленки и следовательно не будут чрезмерно, таким образом улучшает электрические характеристики прибора на полупроводниках.
