A semiconductor crystal layer composed of GaN is grown on a base substrate
composed of sapphire sandwiching a separating layer composed of AlN and a
buffer layer composed of GaN. The separating layers and the buffer layers
are distributed in the form of lines, and a flow-through hole for an
etchant is formed in the side of these layers sandwiching an anti-growing
film composed of SiO.sub.2. Thus, the etchant flows through the
flow-through hole, the anti-growing film and the separating layer are
etched, and the base substrate is easily isolated.
Ένα στρώμα κρυστάλλου ημιαγωγών που αποτελείται από GaN αυξάνεται σε ένα υπόστρωμα βάσεων που αποτελείται από το σάπφειρο που στριμώχνει ένα χωρίζοντας στρώμα που αποτελούνται από AlN και ένα στρώμα απομονωτών που αποτελείται από GaN. Τα χωρίζοντας στρώματα και τα στρώματα απομονωτών διανέμονται υπό μορφή γραμμών, και μια ροή-κατευθείαν τρύπα για έναν etchant διαμορφώνεται στην πλευρά αυτών των στρωμάτων που στριμώχνουν μια ταινία αντι-ανάπτυξης που αποτελείται από SiO.sub.2. Κατά συνέπεια, οι etchant ροές μέσω της ροή-κατευθείαν τρύπας, της ταινίας αντι-ανάπτυξης και του χωρίζοντας στρώματος χαράζονται, και το υπόστρωμα βάσεων είναι εύκολα απομονωμένο.
