A non-volatile memory device includes insulators between floating gates.
The insulators each include both a lower trench-fill insulator portion in
a trench in the substrate, and an upper protruding portion that protrudes
from the substrate. Floating gates extend between the protruding portions
of adjacent insulators, and are in contact with the protruding portions of
the adjacent insulators. An interpoly dielectric overlies the floating
gates, and a control gate overlies the interpoly dielectric. The
insulators and the floating gates may make a substantially planar surface
for the interpoly dielectric, which may themselves be planar.
Μια συσκευή αμετάβλητης μνήμης περιλαμβάνει τους μονωτές μεταξύ των επιπλεουσών πυλών. Οι μονωτές κάθε ένας περιλαμβάνουν και μια χαμηλότερη μερίδα μονωτών τάφρος-αφθονίας σε μια τάφρο στο υπόστρωμα, και μια ανώτερη προεξέχουσα μερίδα που προεξέχει από το υπόστρωμα. Οι επιπλέουσες πύλες επεκτείνονται μεταξύ των προεξεχουσών μερίδων των παρακείμενων μονωτών, και είναι σε επαφή με τις προεξέχουσες μερίδες των παρακείμενων μονωτών. Interpoly ένας διηλεκτρικός επικαλύπτει τις επιπλέουσες πύλες, και μια πύλη ελέγχου επικαλύπτει interpoly το διηλεκτρικό. Οι μονωτές και οι επιπλέουσες πύλες μπορούν να κάνουν μια ουσιαστικά επίπεδη επιφάνεια για interpoly το διηλεκτρικό, ο οποίος μπορεί οι ίδιοι να είναι επίπεδος.
